控制算法的優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)溫度的實(shí)
時(shí)監(jiān)控，提升良品率
工藝介紹
在高溫環(huán)境中，由于化學(xué)氣相沉積（CVD）的涂層與晶圓的膨脹率不同，容易產(chǎn)生局部形變，形變則會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力，在多層的反復(fù)加工中應(yīng)力會(huì)越來(lái)越大，＊終導(dǎo)致晶圓損壞報(bào)廢。
因此化學(xué)氣相沉積（CVD）鍍膜的細(xì)分工位通常使用激光退火的方式來(lái)消除應(yīng)力，＊后通過(guò)應(yīng)力檢測(cè)機(jī)確認(rèn)消除效果，以此形成應(yīng)力把控的閉環(huán)。
設(shè)備前端模塊（EFEM）將晶圓送入測(cè)量腔內(nèi)，隨后晶圓經(jīng)翻轉(zhuǎn)運(yùn)輸至干涉儀的測(cè)量視野范圍中檢測(cè)形變量，通過(guò)應(yīng)力計(jì)算判定退火品質(zhì)后，再翻轉(zhuǎn)運(yùn)輸至設(shè)備前端模塊（EFEM）進(jìn)行OK/NG的分類(lèi)。
課題
1、如何＊＊地采集實(shí)時(shí)溫度
目前時(shí)域中常見(jiàn)的濾波方式，平均值（AVE）方式穩(wěn)定性好，可抗干擾差；中位值（MED）方式抗干擾好，可穩(wěn)定性差，在輸入干擾較大的情況下，用以上任意一種濾波難以＊＊獲取到實(shí)時(shí)的溫度值。
2、如何快速響應(yīng)細(xì)微的溫度變化趨勢(shì)？
解決方案
1、經(jīng)驗(yàn)分布統(tǒng)計(jì)+專(zhuān)業(yè)的建模計(jì)算，推算批量數(shù)據(jù)
通過(guò)有限的溫度采樣值，例如中心的基準(zhǔn)溫度值、變化趨勢(shì)、判定區(qū)間，并使用大數(shù)據(jù)仿真確定了更為合適的RMS濾波算法，＊后經(jīng)過(guò)經(jīng)驗(yàn)分布函數(shù)推算/模擬出大量的實(shí)時(shí)溫度數(shù)據(jù)。
2、通過(guò)數(shù)學(xué)期望算法，實(shí)時(shí)估算基準(zhǔn)值
首先建立數(shù)學(xué)期望模型，然后采集開(kāi)始檢測(cè)的溫度值（過(guò)濾后），＊后通過(guò)一系列的推算，在動(dòng)態(tài)測(cè)量中預(yù)估出基準(zhǔn)溫度值。
控制系統(tǒng)
實(shí)現(xiàn)價(jià)值
1、精度
濾波后的實(shí)時(shí)溫度與溫度傳感器示數(shù)一致，波動(dòng)合理，抗干擾性強(qiáng)
2、效率
溫度變化感知靈敏度提升1倍，響應(yīng)速度提升15%。
【經(jīng)營(yíng)層】
■ 在半導(dǎo)體（SEMI）良好的發(fā)展前景下，快速應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化，通過(guò)先進(jìn)的算法解決晶圓易損壞報(bào)廢的行業(yè)課題，大幅升級(jí)設(shè)備性能，助力打造業(yè)內(nèi)Top競(jìng)爭(zhēng)力。
【管理層】
■ 晶圓沉積工藝品質(zhì)的提升，完全建立在控制系統(tǒng)與程序的優(yōu)化，無(wú)需更改機(jī)械結(jié)構(gòu)和運(yùn)動(dòng)時(shí)間，導(dǎo)入時(shí)間更快且成本更低。
■ 歐姆龍機(jī)械自動(dòng)化控制器NJ/NX系列，可實(shí)現(xiàn)現(xiàn)場(chǎng)生產(chǎn)數(shù)據(jù)的采集、存儲(chǔ)、分析，改善管理課題，提高生產(chǎn)效率。
【工程師層】
■ 通過(guò)濾波解決溫度課題，節(jié)省了兩周的開(kāi)發(fā)時(shí)間。
■ 大量的專(zhuān)業(yè)的建模計(jì)算模擬運(yùn)用大幅度提升了調(diào)試效率。
